A022 — Stork エナミン反応（C-アシル化）
predict モード — 生成物（ゴール）から電子移動の経路を予測しよう
📄 問題（反応式の原図）
出発物質
シクロヘキサノン （環状ケトン）
- 試薬（Step 1） ピロリジン（5 員環の二級アミン） （エナミン形成用）
- 試薬（Step 2） Ac₂O（無水酢酸） （アシル化剤）
- Ac = アセチル基（CH₃CO–, acetyl）
生成物（ゴール）
2-アセチルシクロヘキサノン （α 位にアセチル基が導入された 1,3-ジケトン）
溶媒・条件Step 1: ベンゼン / reflux （脱水でエナミン形成）Step 2: ジオキサン / rt → H₂O / reflux （アシル化 → 加水分解）
後処理aq HCl → H₂O / reflux （エナミンの加水分解 → ケトン再生）
Tier 1
注目すべき官能基/原子
この反応は、まずケトンのカルボニル基（C=O）と二級アミンの窒素原子（N）の反応から始まります。次に、アシル化剤である無水酢酸（Ac₂O）のカルボニル炭素も重要な反応点となります。
[出典: 解説レポート（初学者版・ver.2）Step A, Step D]
Tier 2
電子論的根拠
二級アミンの窒素原子は孤立電子対を持っており、求核剤としてケトンのカルボニル炭素を攻撃します。このカルボニル炭素は、酸素原子の電気陰性度により部分的に正電荷（δ+）を帯びています。その後、水が脱離して形成されるエナミンのβ位の炭素は、窒素原子からの共鳴効果により非常に電子豊富になり、求核剤として機能します。この電子豊富なβ位の炭素が無水酢酸のカルボニル炭素を攻撃することで、新たな炭素-炭素結合が形成されます。脱離する酢酸イオンは共鳴安定化されており、良好な脱離基となります。反応の最終段階では、酸性条件で加水分解が進み、中間体中の窒素原子がプロトン化されることで、水が求核攻撃しやすくなります。
[出典: 解説レポート（初学者版・ver.2）Section 0, Step B, Step D; 解説レポート（詳細版）Step A, Step C, Step D]
Tier 3
律速段階・鍵結合
この反応の鍵は、中性の二級アミンを使ってケトンのα位をエナミンとして「活性化」することです。特に重要なのは、エナミンのβ位の炭素（もとのケトンのα位）が求核剤となり、アシル化剤である無水酢酸のカルボニル炭素を攻撃して新しい炭素-炭素結合を形成する段階です。これにより、アルキル化やアシル化を直接行うのが難しいケトンのα位に選択的にアシル基を導入することができます。エナミンは「エノラートの穏やかな等価体」として機能するため、強塩基を必要とせず、副反応を抑えながら進行させることが可能です。
[出典: 解説レポート（初学者版・ver.2）Section 0, Step D, まとめ]
Tier 4
矢印の流れ（言語のみ）
まず、ピロリジン（二級アミン）の窒素の孤立電子対が、シクロヘキサノンのカルボニル炭素を攻撃し、C=Oのπ電子が酸素へ移動して四面体中間体が生じます。次に、プロトン移動が起こり、OH基がプロトン化されて水分子となり脱離し、イミニウムイオンが形成されます。その後、イミニウムイオンのα位のC-H結合のプロトンが塩基によって引き抜かれ、C=C二重結合が形成されてエナミンになります。このエナミンのβ位の炭素のπ電子が無水酢酸のカルボニル炭素を攻撃し、C=Oのπ電子が酸素へ移動して四面体中間体が生じ、同時に酢酸イオンが脱離してC-アシル化体となります。続いて、α位のプロトンが脱プロトン化され、ビニロガスアミド中間体が生じます。最後に、酸性条件で窒素原子がプロトン化されてイミニウム塩になり、水分子の酸素の孤立電子対がイミニウム炭素を攻撃してヘミアミナール中間体が生じ、プロトン移動とピロリジンの脱離が起こってC=O二重結合が再生し、目的のα-アセチルケトンが得られます。
[出典: 解説レポート（初学者版・ver.2）反応の全体像（8段階）]
Tier 5
生成物
最終生成物は、シクロヘキサノンのα位にアセチル基が導入された1,3-ジケトンである2-アセチルシクロヘキサノンです。
[出典: 解説レポート（初学者版・ver.2）生成物, Step H]
✅ 解答を見る（巻矢印つき機構・公式解説）
📚 参考文献
[1] Stork, G.; Brizzolara, A.; Landesman, H.; Szmuszkovicz, J.; Terrell, R. J. Am. Chem. Soc. 1963, 85, 207. 🔗 doi.org/10.1021/ja00885a021
[2] Clayden, J. et al. Organic Chemistry, 2nd ed.; Oxford, 2012; pp 724–728. 🔗 doi.org/10.1093/hesc/9780199270293.001.0001